MOS管漏电失效分析
引言
MOS管是金属(metal)-氧化物(oxide)-半导体(semiconductor)场效应晶体管,作为电压驱动大电流型器件,大量应用于电路尤其是动力系统中。本文以MOS管漏电失效为例,通过形貌观察、无损分析、开封观察、定位分析、SEM形貌观察、去层分析等测试方法,分析其失效原因,并提出改善建议。
一、案例背景
产品在测试阶段通过万用表测试发现PCBA上MOS管漏电失效,现进行分析,查找其失效原因。
二、分析过程
1. 外观检查
对失效PCBA上MOS管进行外观检查;观察结果显示:失效PCBA上1#MOS管外观无明显的裂纹、破损等异常,与旁边的2#MOS管无明显差异。
2. 失效现象确认
为确认失效PCBA上1#MOS管是否存在明显的漏电现象,对比测试2#MOS管与1#MOS管引脚间的半导体特性,发现1#MOS管引脚间都存在明显的漏电现象。
图1. MOS管引脚间半导体特性曲线
3. 无损分析
为确认失效1#MOS管内部结构、封装是否存在明显缺陷,取下1#、2#MOS管利用X-ray、超声扫描对其进行无损分析。
无损分析结果显示:失效的1#MOS管内部结构完整,键合丝未发现明显的断裂迹象;超声扫描未发现内部封装有分层现象,可排除因内部金属迁移导致的漏电失效。
图2. 1#、2#MOS管X-ray检查形貌
图3. MOS管超声扫描形貌
4. 开封观察
为确认失效1#MOS管内部是否存在明显烧毁现象,对1#、2#MOS管进行开封观察。
观察结果显示:1#MOS管表面未发现明显裂纹、破损、烧毁等明显异常,与2#MOS管表面形貌基本一致。
图4. 1#、2#MOS管开封后形貌
5. 定位分析
前面分析可知:1#MOS管存在漏电现象,为确认1#内部的漏电位置,利用OBIRCH定位技术对1#内部的漏电位置进行定位分析。
定位结果显示:1#MOS管存在异常亮点,亮点主要集中在晶圆上边沿,如图所示。
图5. 1#MOS定位形貌
6. SEM形貌观察
为确认1#MOS管漏电的可能原因,利用电子扫描显微镜对1#MOS管异常亮点周边位置进行SEM形貌观察。
开封结果显示:1#MOS管异常亮点位置的金属层存在裂纹,因金属层覆盖,芯片内部是否存在其他缺陷需进一步确认。
图6. 1#MOS管开封后SEM形貌
图7. 2#MOS管开封后SEM形貌
7. 去层分析
7.1 去表面金属层
为确认芯片内部是否存在其他异常,利用化学药水去除1#MOS芯片表面的金属层,观察内部晶胞形貌。
观察结果显示:内部小单元晶胞存在击穿、熔融的现象,击穿熔融周边伴随着裂纹产生。
图8. 1#MOS管去表面金属层后形貌
7.2 去介质层
为确认失效的1#MOS管Si衬底是否存在其他缺陷,去除内部介质层后观察衬底形貌。
观察结果显示:1#MOS管Si衬底只存在熔融现象,未发现由外围延伸到内部的裂纹、破损等异常。
图9. 1#MOS管去介质层后形貌
以上测试结果说明:MOS管失效的原因为内部存在击穿熔融烧毁的现象,从形貌上判断应属于过压击穿。
三、总结分析
MOS管在测试阶段出现漏电失效,经过外观检查、失效现象确认、无损分析、开封观察、定位分析、SEM形貌观察、去层分析等测试后发现:
(1)外观检查未发现失效的MOS管存在裂纹、破损等异常,与旁边的2#MOS管外观形貌基本一致,因此可排除因受外力导致的失效;
(2)通过半导体特性测试,确认失效MOS管引脚间都存在漏电现象;
(3)X-ray检查、超声扫描等无损分析未发现失效MOS管内部存在键合断裂、分层等异常现象,因此MOS管失效可排查因物料封装缺陷导致的失效;
(4)开封观察未发现失效MOS管芯片表层存在明显烧毁的现象,通过定位分析确认失效MOS漏电点主要集中在芯片上边沿部位;通过对漏电位置的SEM形貌观察发现漏电附近有金属层存在裂纹;
(5)通过去除失效MOS管表面的金属层以及介质层确认失效MOS管漏电位置存在击穿熔融的现象,这是MOS管漏电失效的原因。失效MOS管击穿熔融位置的形貌表现为范围小、击穿现象轻微,这种形貌应是短时的过压击穿后形成的。
四、结论与建议
MOS管失效的原因为承受了短时的过电压导致的引脚间漏电。
改善建议
1. 排查MOS管供应电路是否有过压现象;
2. 做好物料、PCBA的静电防护。
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