【失效分析】FIB在ITO表面缺陷的应用

美信检测  失效分析实验室

【摘要】本文通过FIB的高精度定位切割功能，配合场发射SEM/EDS，综合分析ITO截面的尺寸和腐蚀产物元素成分，为产品质量提供快捷有效的证据。

【关键词】 ITO，失效分析，FIB

1. 引言

失效样品为手机显示屏，具体失效位置在前端IC位置，失效现象是ITO出现出现腐蚀导致显示异常，如下图所示，需具体分析失效的原因。

图1.ITO表面缺陷SEM观察图

2. 试验与结果

图2.失效位置截面观察图
图3.正常位置截面观察图
图4.失效位置EDS测试谱图图
图5.正常位置EDS测试谱图图

3. 结论

根据测试结果，对比OK和正常位置的成分，推断可能是ITO位置有Mg、K、Ga的盐类或碱污染，在使用过程中环境中的水分子在浓度梯度作用下渗透进ITO位置，形成导电溶液，在通电情况下形成电化学腐蚀造成的。

4. 参考文献

GB/T 17359-2012微束分析 能谱法定量分析  

JY/T 010-1996分析型扫描电子显微镜方法通则

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