印制板及其组件(PCB&PCBA)是电子产品的核心部件,PCB&PCBA的可靠性直接决定了电子产品的可靠性。为了保证和提高电子产品的质量和可靠性,对失效进行全面的理化分析,确认失效的内在机理,从而有针对性地提出改善措施。
电子元器件失效分析的目的是借助各种测试分析技术和分析程序确认电子元器件的失效现象,分辨其失效模式和失效机理,确认最终的失效原因,提出改进设计和制造工艺的建议,防止失效的重复出现,提高元器件可靠性。
集成电路复杂度与性能要求的持续攀升,叠加设计、制造、封装及应用环节的潜在风险,导致短路、开路、漏电、烧毁、参数漂移等关键失效模式频发。这不仅造成昂贵的器件报废与系统宕机,更常引发设计方、代工厂、封测厂与终端用户间的责任争议,带来重大经济损失与信誉风险。
高分子材料性能要求持续提升,而客户对高要求产品及工艺的理解差异,导致断裂、开裂、腐蚀、变色等典型失效频发,常引发供应商与用户间的责任纠纷及重大经济损失。
金属构件服役环境日益苛刻,对材料性能和结构可靠性提出更高要求。然而,设计缺陷、材料瑕疵、制造偏差或不当使用等因素,极易引发疲劳断裂、应力腐蚀开裂、氢脆、蠕变、磨损、过载变形等典型失效。
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电子背散射衍射(EBSD)

EBSD是一种基于扫描电子显微镜的显微分析技术,通过分析入射电子束与样品相互作用后产生的背散射电子的衍射花样(菊池花样),获取样品的晶体学信息。其核心原理是布拉格衍射定律(2dsinθ=nλ),其中电子束波长λ、晶面间距d和布拉格角θ共同决定衍射条件。衍射花样由晶体的晶面系决定,不同晶体结构产生独特的菊池花样,通过与晶体学数据库比对,可实现物相类型和分布、晶粒大小、晶界类型、晶体取向分析等功能。

电子背散射衍射(EBSD)

| 项目概述

 

EBSD是一种基于扫描电子显微镜的显微分析技术,通过分析入射电子束与样品相互作用后产生的背散射电子的衍射花样(菊池花样),获取样品的晶体学信息。其核心原理是布拉格衍射定律(2dsinθ=nλ),其中电子束波长λ、晶面间距d和布拉格角θ共同决定衍射条件。衍射花样由晶体的晶面系决定,不同晶体结构产生独特的菊池花样,通过与晶体学数据库比对,可实现物相类型和分布、晶粒大小、晶界类型、晶体取向分析等功能。

 

 

| 项目目的

 

晶体取向分析

通过菊池花样与标准晶体学数据匹配,计算晶体的取向角(如欧拉角或米勒指数),生成取向成像图(OIM),直观显示晶粒的取向分布。

晶界类型

低角度晶界(LAGB):取向差<15°,通常代表亚晶界。

高角度晶界(HAGB):取向差>15°,通常代表真实晶界。

特殊晶界:如孪晶界(Σ3边界)可通过计算重合位点格(CSL)识别。

相分析

通过图案匹配确定每个像素点的相归属,生成相分布图,直观显示相分布。

晶粒尺寸测量

通过晶界检测结果,使用面积法或截线法计算晶粒尺寸,生成晶粒分布直方图,并输出平均晶粒大小和标准差。

织构分析

通过极图(Pole Figure)或取向分布函数(ODF)表征晶粒取向的统计分布,揭示材料加工对微观结构的影响。

应变分析

利用晶体取向和图案质量变化评估样品中的应变或残余应力分布。应变可通过晶界弯曲、取向梯度等特征定量分析,结合FWHM(全宽半高)或变形模式研究应力累积

 

 

| 测试标准

 

GB/T 36165金属平均晶粒度的测定 电子背散射衍射(EBSD)法

ISO 23703微束分析.用电子背散射衍射(EBSD)评估奥氏体不锈钢机械损伤的取向分析指南

YB/T 4677钢中织构的测定 电子背散射衍射(EBSD)法

ASTM E2627-13 用电子背散射衍射技术(EBSD)测定充分再结晶多晶材料平均粒度的规程。

 

 

| 服务产品/领域

 

电子产品、金属材料、陶瓷材料、半导体材料、矿物材料等。

 

| 常规样品要求

 

样品最大尺寸20mmx20mmx5mm(高),上下面平行,测试需抛光并去应力处理(振动抛光或CP制样)。

 

| 项目优势

 

1、专业团队:拥有多名经验丰富的检测工程师和技术专家。

2、先进设备:配备国际领先的检测设备,确保检测结果的准确性和可靠性。

3、高效服务:快速响应客户需求,提供一站式高效检测服务。

4、权威认证:实验室通过ISO/IEC 17025认证,检测报告具有国际公信力

 

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