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立即咨询专业工程师为您服务所谓的闩锁效应Latch-up,是指瞬间电流被锁定或者放大,而造成芯片在电源与对地之间造成短路,而因为大电流损伤芯片。由于目前半导体电路设计密度越来越高,电压或电流的瞬间变化对于芯片的损伤也越趋严重。此外,目前半导体业界部分认为客退品中经常出现的EOS (Electrical Over Stress) 问题与闩锁测试有相当程度关联,因此此项测试变得非常重要。
| 什么是闩锁测试
所谓的闩锁效应Latch-up,是指瞬间电流被锁定或者放大,而造成芯片在电源与对地之间造成短路,而因为大电流损伤芯片。由于目前半导体电路设计密度越来越高,电压或电流的瞬间变化对于芯片的损伤也越趋严重。此外,目前半导体业界部分认为客退品中经常出现的EOS (Electrical Over Stress) 问题与闩锁测试有相当程度关联,因此此项测试变得非常重要。
| 试验标准
闩锁测试主要参考JEDEC 78规范以及AEC-Q100-004之定义,其中在车用电子的测试中,定义必须使用Class II,即最高环境温度条件 (Maximum Operation Temperature),较传统常温更为严格。
| 美信优势
美信检测提供完整的半导体产品芯片可靠性试验项目,协助客户通过JEDEC、MIL—STD、AEC-Q等可靠性国际试验标准。
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